垂直配向カーボンナノチューブの作製方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999221708
Publication number (International publication number)：2001048512
Application date： Aug. 04, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】基板上にカーボンナノチューブを直接作製すること、カーボンナノチューブの直径及び長さの平均値を制御すること、さらに、カーボンナノチューブを、基板上に又は基板上の任意の部位のみに選択的に、基板に対して垂直に配向して作製することを可能にする方法の提供。【解決手段】プラズマCVD法により、メタン、エチレン、アセチレン等の炭素供給ガスと水素ガスとを導入ガスとして用い、Ni、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも2種類からなる合金の基板表面上に、カーボンナノチューブを基板表面に対して垂直方向に配向させて作製する。基板として、ガラス又はSiウェハー上に、前記金属からなる任意のパターンを形成したものを用いて上記CVD法を行い、このパターン部のみに選択的に、カーボンナノチューブを作製する。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法により、基板表面に、カーボンナノチューブを基板表面に対して垂直方向に配向させて作製することを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 101 , C23C 16/26 , C23C 16/511

FI (3)：

C01B 31/02 101 F , C23C 16/26 , C23C 16/511

F-Term (12)：

4G046CA01 , 4G046CB00 , 4G046CB03 , 4G046CC06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030BA27 , 4K030BB01 , 4K030CA02 , 4K030DA04 , 4K030FA01 , 4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

カーボンナノチューブの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161292 Applicant：キヤノン株式会社
化合物半導体の表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233942 Applicant：吉川明彦, 小林正和, 三菱重工業株式会社
整列した自立炭素ナノチューブおよびその合成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-554654 Applicant：ザ・リサーチ・ファウンデーション・オブ・ステイト・ユニバーシティ・オブ・ニューヨーク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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