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J-GLOBAL ID：200903004752017884

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009151783
Publication number (International publication number)：2009260366
Application date： Jun. 26, 2009
Publication date： Nov. 05, 2009
Summary：
【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第1の絶縁膜と、半導体膜及び第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜と、第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第1の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第1の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第1の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。【選択図】図15
Claim (excerpt)：
ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、 前記半導体膜の側面に接して設けられた絶縁膜と、 前記半導体膜及び前記絶縁膜上に設けられた配線又は電極と、 を有し、 前記絶縁膜は、前記半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、 前記配線又は前記電極は、前記絶縁膜の前記窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 626C
F-Term (83)：
5F110AA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HM02 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA06 ,  5F152AA08 ,  5F152AA15 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD18 ,  5F152CD24 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152DD06 ,  5F152DD07 ,  5F152EE05 ,  5F152EE13 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22 ,  5F152FF28 ,  5F152FF32 ,  5F152FF39 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-232506   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-274399   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開昭58-151042
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Cited by examiner (4)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-232506   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-274399   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開昭58-151042
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