Pat
J-GLOBAL ID：200903094008185760

半導体装置

Inventor：
牛久 幸広

About 牛久 幸広

, 
水野 智久

About 水野 智久

, 
吉見 信

About 吉見 信

, 
寺内 衛

About 寺内 衛

, 
川中 繁

About 川中 繁


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995232506
Publication number (International publication number)：1996139325
Application date： Sep. 11, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】パンチスルー現象による短チャネル効果を抑制することができると共に、素子特性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】凸形状の半導体素子領域を有する基板1と、素子領域の上面および側面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極を挟んで素子領域の上面にチャネル領域を形成するように設けられた第1の導電型のソース領域およびドレイン領域とを具備し、凸形状を有する部分の内部であって前記チャネル領域の下に形成され、チャネル領域の濃度よりも高い濃度で第2の導電型の不純物が含まれる高濃度不純物領域13を有する。
Claim (excerpt)：
凸形状の半導体素子領域を有する基板と、前記素子領域の上面および側面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記素子領域の上面にチャネル領域を形成するように設けられた第1の導電型のソース領域およびドレイン領域とを具備し、凸形状を有する部分の内部であって前記チャネル領域の下に形成され、前記チャネル領域の濃度よりも高い濃度で第2の導電型の不純物が含まれる高濃度不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-090220   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 特開平2-125667
  • 特開平2-125667
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM