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J-GLOBAL ID：200903004770117250

半導体レーザおよびその製法

Inventor：
内田 智士

About 内田 智士

, 
股木 宏至

About 股木 宏至


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994016843
Publication number (International publication number)：1995226562
Application date： Feb. 10, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ミニディスクや光磁気ディスクなどの読取りおよび書込みの両方ができる低い出力で低ノイズであり、20mW以上の高出力がえられる半導体レーザおよびその製法を提供する。【構成】 ストライプ構造の発光領域を有する活性層4と、該活性層を挟んで両側に設けられたクラッド層3、5、8と、前記発光領域のストライプの両端に形成され、該発光領域で発生した光の一部を放射するとともに残部を反射して前記活性層内で増幅させる端面とを有する半導体レーザであって、前記活性層4に印加される電流の変化により変化する前記端面の一方から放射する光出力が2〜7mWの範囲で可干渉性の極小値を有し、かつ、前記光出力が25mW以下の範囲で電流の増加に対して前記光出力が低下する現象が生じないようにする手段が設けられている。
Claim (excerpt)：
ストライプ構造の発光領域を有する活性層と、該活性層を挟んで両側に設けられたクラッド層と、前記発光領域のストライプの両端に形成され、該発光領域で発生した光の一部を放射するとともに残部を反射して前記活性層内で増幅させる端面とを有する半導体レーザであって、前記活性層に印加される電流の変化により変化する前記端面の一方から放射する光出力が2〜7mWの範囲で可干渉性の極小値を有し、かつ、前記光出力が少なくとも25mW以下の範囲で電流の増加に対して前記光出力が低下する現象が生じないようにする手段が設けられてなる半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  H01S 3/096
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-169666   Applicant：ローム株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-169669   Applicant：ローム株式会社
  • 特開平3-094490
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