同期型半導体集積回路装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998184703
Publication number (International publication number)：2000021198
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】テスト動作モードにおいてテスタ装置の生成する外部クロック信号よりも高速なテスト動作が可能な同期型半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】同期型半導体記憶装置1000は、テスト動作モードにおいて、外部クロック信号ext.CLKを受けて、周波数の高い内部クロック信号int.CLKを生成する内部クロック調整回路200に制御されて、書込み動作および読出動作を行う。内部クロック調整回路200に含まれるクロック周期変換回路400は、外部クロック信号をから順次位相の遅れたクロック信号CLK1〜CLK8の特定の対について、階層的に排他的論理和演算を行うことにより、内部クロック信号int.CLKを生成する。

Claim (excerpt)：

外部クロック信号に基づいて動作し、外部から制御信号を受け、かつ外部との間でデータを授受する同期型半導体集積回路装置であって、前記制御信号により制御されて、第1の動作モードにおいては、前記外部クロック信号に対応した内部クロック信号を生成し、第2の動作モードにおいては、前記外部クロックの活性化に同期して活性化し、かつ前記外部クロックの1周期中にN回活性状態となる(N:自然数、N>2)内部クロック信号を生成する内部同期信号発生回路と、前記制御信号により制御され、前記外部からのデータに対して前記内部クロック信号に同期して、所定の処理を行う内部回路と、前記内部クロック信号に同期して、前記内部回路からのデータを出力するデータ入出力回路とを備える、同期型半導体集積回路装置。

IPC (3)：

G11C 29/00 671 , G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (3)：

G11C 29/00 671 Z , G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 371 A

F-Term (6)：

5B024AA09 , 5B024BA29 , 5B024EA02 , 5L106AA01 , 5L106DD37 , 5L106GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその試験方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-308709 Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体メモリ装置のテスト回路及びテスト方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-306527 Applicant：三星電子株式会社
高速自己テスト回路内蔵半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222580 Applicant：日本電気株式会社

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