半導体記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210608
Publication number (International publication number)：1997054142
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 FIFOメモリ等のマイクロセル内で入力データのバイパスを実現して、他のマイクロセルに関するテスト・評価の容易化を図る。【解決手段】 FIFOメモリ1内部の入力ポートDIと出力ポートDO間にバイパス経路6を設け、バイパス経路6と読み出しビット線R・BLのセンスアンプ7とを選択するデータバイパス用セレクタ8を更に設ける。そして、テストモード時には、第1セレクタ制御信号SをLレベルに、その逆相の第2セレクタ制御信号バーSをHレベルに制御する。これにより、テストモード時には、入力ポートDIより入力したデータは、メモリセルMC1〜MCXを経由することなくバイパス経路6を経由して出力ポートDOより出力される。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路に内蔵されたマクロセルを備え、前記マクロセルは、入力ポートと、前記入力ポートより入力されたデータの書込みと前記データの読出しとを独立に行えるメモリセルと、通常動作時には、前記メモリセルより読出された前記データを出力する出力ポートと、テストモード時には、前記入力ポートを前記メモリセルを介在させずに前記出力ポートに接続して前記入力ポートより入力された前記データをそのまま前記出力ポートに送信するバイパス手段とを備えた、半導体記憶装置。

IPC (2)：

G01R 31/28 , G11C 29/00 303

FI (3)：

G01R 31/28 B , G11C 29/00 303 E , G01R 31/28 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭61-023243
特開昭61-262856
特開平1-267475

Show all

Cited by examiner (7)

特開昭61-023243
特開昭61-023243
特開昭61-262856

Show all

Return to Previous Page