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J-GLOBAL ID：200903004811580334
半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998068488
Publication number (International publication number)：1999266055
Application date： Mar. 18, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】 間接遷移型半導体材料によりレーザ発振を行うことができる半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 Si基板1上に酸化シリコン層2aを形成し、酸化シリコン層2a中にGeのイオン注入によりGe過飽和層3aを形成する。Ge過飽和層3aに可干渉光を2方向から照射するとともに、上記2方向を含む面に垂直な面内で可干渉光を2方向から照射し、酸化シリコン中での発光波長と等しい空間波長の直交する格子状の干渉縞を形成し、直交する干渉縞の交点の強度ピーク位置に光励起により十数nmの大きさのGeドット4を析出させる。同様にして、Geドット4を含む酸化シリコン層を順に積層することにより、複数のGeドット4からなる3次元のフォトニック結晶を構成する。
Claim (excerpt)：
量子サイズを有する複数の半導体ドットがフォトニック結晶を構成するように周期的に配列されたことを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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