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J-GLOBAL ID：200903004827984605
近磁界プローブ及び近磁界プローブユニット及び近磁界プローブアレー及び磁界計測システム
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997357793
Publication number (International publication number)：1998311857
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】本発明は、測定対象物に近接させ磁界検出を行う近磁界プローブにおいて、簡単な構成で近磁界プローブの引出し線部への測定個所からの磁界の鎖交を防ぎ、計測の誤差を低減する。【解決手段】本発明は、基板2上に導電性薄膜からなる1ターンの巻き線もしくは巻き線間に絶縁層を介して複数ターンの巻き線を構成したコイル3と、該コイル3からの引出し線4と、該引出し線4が接続されるパッド5とを有する近磁界プローブ1において、前記引出し線4に絶縁層6を介してシールド用導電性薄膜7を設けた構成とした。このように引出し線4上に導電性薄膜7からなるシールド層を設けることで、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、より高精度な計測が可能となる。
Claim (excerpt)：
基板上に導電性薄膜からなる1ターンの巻き線もしくは巻き線間に絶縁層を介して複数ターンの巻き線を構成したコイルと、該コイルからの引出し線と、該引出し線が接続されるパッドとを有する近磁界プローブにおいて、前記引出し線に絶縁層を介してシールド用導電性薄膜を設けたことを特徴とする近磁界プローブ。
IPC (3)：
G01R 29/08
, G01R 33/02
, G01R 33/10
G01R 29/08 F
, G01R 29/08 D
, G01R 33/02 B
, G01R 33/10
