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J-GLOBAL ID：200903004873643812

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 村上 英一 ,  中川 清和
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991141558
Publication number (International publication number)：1993121450
Application date： Jun. 13, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】高速かつ低消費電力のnチャネル電界効果トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【構成】Si<SB>1-</SB>xGex(0.7≦x≦0.85)混晶を基板とし、Ge又はSi<SB>1-z</SB>Ge<SB>z</SB>(0.9≦z<1)混晶のチャネル層と、その上に設けられたSi<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>(0.7≦y≦0.85)混晶層を有するnチャネル電界効果トランジスタを有する半導体装置。これらの層はエピタキシャル成長させて製造する。【効果】Ge層における高速な電子移動度を有効に利用でき、高速に作動する。

Claim (excerpt)：

Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>(ただしxは0.7≦x≦0.85の範囲の値である)混晶からなる基板並びに該基板上に設けられたGe又はSi<SB>1-z</SB>Ge<SB>z</SB>(ただしzは0.9≦z<1の範囲の値である)混晶からなるチャネル層、該チャネル層上に設けられた、Si<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>(ただしyは0.7≦y≦0.85の範囲の値である)混晶層及び該チャネル層にチャネルを形成するために設けられたゲート電極より構成されるnチャネル電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812