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J-GLOBAL ID：200903004884775540

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 後藤 正和 ,  川中 繁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007008720
Publication number (International publication number)：2008177316
Application date： Jan. 18, 2007
Publication date： Jul. 31, 2008
Summary：

【課題】空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/44 S ,  H01L29/58 G

F-Term (73)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F140AA30 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF38 ,  5F140BF40 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG15 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-173585   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-330762   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-194653
  
• 特開平2-194653
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-105000   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体素子のゲ-ト電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-365488   Applicant：現代電子産業株式会社
• 特開平2-304979
  
• 集積回路デバイスを製造する際にWSixの異常酸化を防止しかつ均質WSix形成によりSiを供給する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-114514   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191845   Applicant：九州日本電気株式会社