シリコンウエーハの清浄化方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068162
Publication number (International publication number)：1996264498
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】シリコンウエーハ上の残存微粒子を低減し、自然酸化膜を残した状態で自然酸化膜中に捕捉された各種金属を含む汚染物質をデバイスの不良化を起こさない範囲にまで除去し、その自然酸化膜を保護膜としてシリコンウエーハを直接プロセス装置に導入可能とする半導体シリコンウエーハの製造プロセス及び半導体デバイス製造プロセスにおけるシリコンウエーハの清浄化方法を提供することを目的とする。【構成】シリコンウエーハを過酸化水素を含有する洗浄液で洗浄して清浄な自然酸化膜を形成させ、その後、オゾンとフッ酸を添加した超純水からなるリンス液によるリンスを行い、自然酸化膜を残した状態で自然酸化膜中に捕捉された各種金属を含む汚染物質をデバイスの不良化を起こさない範囲にまで除去する。

Claim (excerpt)：

過酸化水素を含有する洗浄液で洗浄し、次いで形成された自然酸化膜を完全に溶解しない濃度のオゾンとフッ酸を含有する超純水からなるリンス液によりリンスする工程を含むことを特徴とするシリコンウエーハの清浄化方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , C11D 7/18 , C11D 7/60 , C11D 7:18 , C11D 7:06 , C11D 7:08

FI (4)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M , C11D 7/18 , C11D 7/60

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平4-144131
特開平4-103124
シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203023 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

Cited by examiner (3)

特開平4-144131
特開平4-103124
シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203023 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

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