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J-GLOBAL ID：200903076380090270

シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液

Inventor： 上村 賢一 ,  島ノ江 憲剛 ,  佐近 正 ,  宗平 修二 ,  小倉 豊史 ,  田中 治樹
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 井上 雅生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203023
Publication number (International publication number)：1996048996
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明はシリコン半導体、半導体デバイスの製造において高精度な製品を提供する。【構成】 金属汚染および付着粒子を著しく低減できる洗浄液であり、0.001モル/リットル〜1.00モル/リットル未満の弗酸および0.05モル/リットル以上〜0.25モル/リットル未満の弗化アンモニウムを含む水溶液のpHが1.5以上7.0未満であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

0.001モル/リットル〜1.00モル/リットル未満の弗酸および0.05モル/リットル以上〜0.25モル/リットル未満の弗化アンモニウムを含む水溶液のpHが1.5以上7.0未満であることを特徴とするシリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液。

IPC (4)：

C11D 7/06 ,  C23G 1/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ウエハの洗浄処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143859   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 洗浄組成物及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-069856   Applicant：三菱化学株式会社