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J-GLOBAL ID:200903004901567663

電界放射冷陰極とこれを用いた表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 尾身 祐助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995117707
Publication number (International publication number):1996293244
Application date: Apr. 20, 1995
Publication date: Nov. 05, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高精度のリソグラフィ技術を用いなくても済むようにする。ビームの広がりを抑える。電流変調電圧を低くする。【構成】 金属又は半導体からなる基板1にマトリックス状に凹部を設け、凹部の底面にダイヤモンド薄膜からなる電子放出層5を形成する。基板1の突起部分はビーム形成電極2となっており、これによりビームの広がりは抑えられる。ビーム形成電極2上には、絶縁層4を介して電子引き出し用のゲート電極4が形成される。
Claim (excerpt):
規則的に凹部が形成された基板と、前記基板の凹部に設けられた仕事関数の小さい材料からなる電子放出層と、該電子放出層を囲んで該電子放出層上に形成されたビーム形成電極と、該ビーム形成電極上に絶縁層を介して形成された電子引き出し用のゲート電極と、を備える電界放射冷陰極。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 31/12
FI (3):
H01J 1/30 Z ,  H01J 1/30 C ,  H01J 31/12 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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