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J-GLOBAL ID:200903004902036203

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 矢作 和行 ,  野々部 泰平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007091587
Publication number (International publication number):2008251845
Application date: Mar. 30, 2007
Publication date: Oct. 16, 2008
Summary:
【課題】腐食環境で使用されるものであって、体格を大きくすることなく、電極部の腐食を抑制することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】腐食環境に晒される半導体装置であって、半導体基板10と、半導体基板10に形成されるものであり、外部との電気的接続用の電極部31を有する配線層30と、電極部31に対応する位置に開口部41を有した状態で配線層30を覆う保護層40と、電極部31を覆う導電性のアモルファス構造を有するブロック層50とを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
腐食環境に晒される半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板に形成されるものであり、外部との電気的接続用の電極部を有する配線層と、 前記電極部に対応する位置に開口部を有した状態で前記配線層を覆う保護層と、 前記電極部を覆う導電性のアモルファス構造を有するブロック層と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1):
H01L 21/60
FI (1):
H01L21/60 301P
F-Term (4):
5F044AA15 ,  5F044EE06 ,  5F044EE08 ,  5F044EE21
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 圧力センサ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-421338   Applicant:株式会社デンソー
  • 圧力センサ装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2004-033936   Applicant:株式会社デンソー

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