薄膜磁界センサ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997279308
Publication number (International publication number)：1999087804
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、磁界感度の悪い巨大磁気抵抗(GMR)薄膜材料を軟磁性薄膜と複合化することによって、磁界感度の高いGMR薄膜磁界センサを提供することを目的とする。【解決手段】軟磁性薄膜をGMR薄膜の両側に配置することにより、高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜の強い磁化に相当する磁界が、GMR薄膜に作用することにより、その磁気抵抗効果(MR比)の磁界感度が著しく向上する。

Claim (excerpt)：

軟磁性薄膜と巨大磁気抵抗薄膜とによって構成することにより、磁気抵抗効果(MR)の磁界感度を上げたことを特徴とする薄膜磁界センサ。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/00

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/00 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-063364 Applicant：ヤマハ株式会社

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