半導体レーザ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000123837
Publication number (International publication number)：2001308452
Application date： Apr. 25, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】材料の屈折率が小さい青色或いは紫外光領域でもレーザ端面反射率を大きくできる半導体レーザ装置を提供するものである。【解決手段】レーザ活性領域とレーザ共振器方向に周期的構造を有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ装置の周期構造が空気と半導体よりなり、下式(1)に示すように上記周期構造における単位周期の光学長すなわち半導体部分の長さdsと当該半導体レーザの導波路の実効屈折率neffの積に空気部分の長さdaを加えた値が発振波長を2で割った値の奇数倍によってなる周期構造であり、上記半導体として、AlxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)若しくはInxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)を使用することを特徴とする。dsneff+da=mλ/2 ...(1)但し、mは奇数、λは波長である。

Claim (excerpt)：

レーザ活性領域とレーザ共振器方向に周期的構造を有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ装置の周期構造が空気と半導体よりなり、上記周期構造における単位周期の光学長すなわち半導体部分の長さと当該半導体レーザの導波路の実効屈折率の積に空気部分の長さを加えた値が発振波長を2で割った値の奇数倍によってなる周期構造であり、上記半導体として、AlxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)若しくはInxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)を使用することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/12 , H01S 5/323

FI (2)：

H01S 5/12 , H01S 5/323

F-Term (8)：

5F073AA62 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA31 , 5F073EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-333884 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217276 Applicant：理化学研究所
光子バンド構造のミラー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-202395 Applicant：ティアールダブリューインコーポレイテッド

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