半導体レーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217276
Publication number (International publication number)：1997064458
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来に比べて、注入エネルギーのロスを低減することができ、少ない電力で高い光出力を得ることのできる半導体レーザを提供する。【解決手段】光の波長オーダーの屈折率周期構造を有するホトニック結晶1内には、半導体からなり光の増幅作用を有する活性部2と、所定方向の光学モードにのみ発光エネルギーをカップリングさせる位相シフト部3が配設されている。

Claim (excerpt)：

光の波長オーダーの屈折率周期構造を有するホトニック結晶内に、半導体からなり光の増幅作用を有する活性部と、所定方向の光学モードにのみ発光エネルギーをカップリングさせる位相シフト部とを配設したことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-125670
レーザー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235041 Applicant：株式会社東芝
面発光レーザとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037692 Applicant：日本電気株式会社

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