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J-GLOBAL ID：200903005014068020

固体撮像装置

Inventor： 角本 兼一 ,  楠田 将之 ,  掃部 幸一
Applicant, Patent owner： ミノルタ株式会社
Agent (2)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003150904
Publication number (International publication number)：2004356859
Application date： May. 28, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】本発明は、各画素の感度バラツキを防ぐとともに残像現象を防ぐことのできる固体撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】時間t1の間、信号φVPSをVHとすることで、光電変換するフォトダイオードと接続されたMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を大きくして、MOSトランジスタのゲート電圧を大きく変化させる。その後、時間t2の間、信号φVPSをVhとすることで、MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を小さくして、MOSトランジスタのゲート電圧の変化を小さくする。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

バイアス電圧が印加され入射した光量に応じた電気信号を発生する光電変換部を備える画素を有する固体撮像装置において、 前記光電変換部に蓄積された電荷を再結合して前記画素をリセットする際、 まず、第1所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を電圧差の大きい第1所定電圧とし、 次に、第2所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を前記第1所定電圧よりも電圧差の小さい第2所定電圧とすることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H04N5/335 ,  H01L27/146

FI (3)：

H04N5/335 P ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 A

F-Term (15)：

4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DB10 ,  4M118DB11 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  5C024CX17 ,  5C024CX41 ,  5C024GY38 ,  5C024HX47 ,  5C024HX50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057720   Applicant：株式会社東芝
• CMOSイメージセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-029633   Applicant：富士通株式会社
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-279386   Applicant：ミノルタ株式会社
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-208267   Applicant：ミノルタ株式会社