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J-GLOBAL ID:200903079094299536
固体撮像装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐野 静夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999208267
Publication number (International publication number):2001036817
Application date: Jul. 22, 1999
Publication date: Feb. 09, 2001
Summary:
【要約】【課題】本発明は、高輝度域から低輝度域までの幅広い輝度範囲の被写体を高精細に撮像することができるとともに、低輝度域でも各画素が高速に基の状態にリセットされる応答性の良い固体撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】各画素の撮像動作が終了した後、第1MOSトランジスタT1のソースに与える信号φVPSをローレベルにして、MOSトランジスタT1に負の電荷が流入しやすい状態にすることによって、MOSトランジスタT1のドレイン、ゲート、MOSトランジスタT2のゲート、及びフォトダイオードのアノードに蓄積された正の電荷を再結合して速やかにリセットを行う。
Claim (excerpt):
入射した光量に応じた電気信号を発生する感光素子と該感光素子に第1の電極が接続された第1のトランジスタを有するとともに該第1のトランジスタをサブスレッショルド領域で動作させて前記電気信号を自然対数的に変換する光電変換手段と、該光電変換手段の出力信号を出力信号線へ導出する導出路とを備えた固体撮像装置において、前記第1のトランジスタの第2電極に第1電圧を与えて、前記第1のトランジスタをサブスレッショルド領域で動作させて撮像を行い、前記第1のトランジスタの第2電極に第2電圧を与えて、前記第1のトランジスタに前記第2電圧を与える前よりも大きい電流が流れ得るようにすることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3):
H04N 5/335
, H01L 27/146
, H01L 31/10
FI (4):
H04N 5/335 E
, H04N 5/335 P
, H01L 27/14 A
, H01L 31/10 G
F-Term (24):
4M118AA02
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118FA06
, 5C024BA01
, 5C024CA08
, 5C024CA15
, 5C024CA20
, 5C024GA01
, 5C024GA33
, 5C024HA05
, 5C024JA04
, 5C024JA29
, 5F049MA02
, 5F049NA03
, 5F049NA19
, 5F049NB05
, 5F049QA01
, 5F049RA02
, 5F049UA01
, 5F049UA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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光センサ回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-174476
Applicant:本田技研工業株式会社, シチズン時計株式会社
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固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-188054
Applicant:ミノルタ株式会社
-
画素構造,その画素構造を使用するイメージセンサおよび対応の周辺回路機構
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-132508
Applicant:インテルウニフェルシテールミクロエレクトロニカセントルムフェライニジンクゾンダウィンストベヤーク
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固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-120251
Applicant:ミノルタ株式会社
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