半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280168
Publication number (International publication number)：1999121753
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】オン抵抗を低くしたいTFTに対して、ばらつきを抑えながら十分低いオン抵抗をとること、更にオフ抵抗を高くしたいTFTに対しては、サブスレッショルド特性の劣化を抑えながらオフ抵抗を大きくする。【解決手段】多結晶半導体薄膜を構成する結晶粒子を、オン抵抗を低くしたいTFTに対してはチャネル電流に対して平行な方向の長さが、垂直な方向の長さよりも長くなるように形成し、オフ抵抗を高くしたいTFTに対してはチャネル電流に対して垂直な方向の長さが、平行な方向の長さよりも長くなるように形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に設けられた多結晶半導体薄膜と、上記多結晶半導体薄膜に接して設けられた絶縁体と、上記絶縁体上に接して上記多結晶半導体薄膜と反対側の面に設けられ、導電性物質からなる制御電極と、上記多結晶半導体薄膜と上記絶縁体と上記制御電極と共に電界効果トランジスタを形成するために上記多結晶半導体薄膜の一部に形成された、第1及び第2の不純物拡散領域とを有する半導体装置において、上記多結晶半導体薄膜を構成する結晶粒子は、その上記電界効果トランジスタのチャネル電流に対して平行な方向の長さが、上記電界効果トランジスタのチャネル電流に対して垂直な方向の長さよりも長くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 29/78 618 A , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭60-143666
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-060257 Applicant：富士ゼロックス株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235461 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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