半導体膜のレーザーアニール方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996217424
Publication number (International publication number)：1998064815
Application date： Aug. 19, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するエキシマレーザーアニール(ELA)において、結晶性の良好なp-Siを得るためのELAを提供する。【解決手段】レーザービームの走査進行方向において、ビームプロファイルの比較的前方においてグレインサイズを最大にする閾値エネルギーEthを越えるエネルギー領域を有し、且つ、十分後方において閾値エネルギーを越えないエネルギー領域を有する。ビームが進行するに従って照射エネルギーが閾値Ethエネルギーより上から下へと移行していき、その過程で閾値エネルギー直下のグレインサイズを十分に大きくするエネルギー領域において最良のアニールが行われる。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体膜にレーザービームを照射して膜質を改良する半導体膜のレーザーアニール方法において、レーザービームの被照射領域における位置に関するエネルギーは、レーザービームが走査される進行方向における比較的前方位置よりも比較的後方位置でより小さくされていることを特徴とする半導体膜のレーザーアニール方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭64-076715
多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-185661 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-102311

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