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J-GLOBAL ID：200903005049235558

シンチレータ用単結晶材料及び製造方法

Inventor：
畑元 俊一

About 畑元 俊一

, 
安斎 裕

About 安斎 裕

, 
長谷川 淳

About 長谷川 淳


Applicant, Patent owner：
三井金属鉱業株式会社

About 三井金属鉱業株式会社


Agent (3)： 竹内 三郎 ,  市澤 道夫 ,  栗原 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006049123
Publication number (International publication number)：2007224214
Application date： Feb. 24, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：
【課題】Luを主成分とする希土類硼酸塩の製造において、融点から冷却固化させる過程での相転移を抑制し、新たなシンチレータ用単結晶材料を得る。【解決手段】Lu原料及び硼素酸素原料を含有する混合物を溶融させ冷却固化させることによってシンチレータ用結晶材料を得る製造方法において、Scを添加することにより結晶材料の相転移を抑制しシンチレータ用単結晶材料を得た。Luを主成分とする希土類硼酸塩にSc等を添加することで、放射線吸収能力と密度を大きいレベルに保ったまま相転移を抑止できた。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
組成式:(Lu1-xM1x)1-yM2yBO3(但し、0.02≦x<1、0.0001≦y≦0.1、M1:Sc、Ga及びInからなる群から選ばれる一種又二種以上の組合わせからなる元素、M2:発光元素)で表されるシンチレータ用単結晶材料。
IPC (6)：
C09K 11/00 ,  G01T 1/202 ,  G01T 1/20 ,  C09K 11/78 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/80
FI (7)：
C09K11/00 E ,  G01T1/202 ,  G01T1/20 B ,  C09K11/78 ,  C09K11/08 A ,  C09K11/08 B ,  C09K11/80
F-Term (28)：
2G088GG10 ,  2G088GG17 ,  2G088JJ37 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CA08 ,  4H001CF01 ,  4H001CF02 ,  4H001XA05 ,  4H001XA08 ,  4H001XA21 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001XA71 ,  4H001YA24 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA60 ,  4H001YA62 ,  4H001YA63 ,  4H001YA65 ,  4H001YA66 ,  4H001YA67 ,  4H001YA68 ,  4H001YA69 ,  4H001YA70 ,  4H001YA81 ,  4H001YA83
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
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