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J-GLOBAL ID：200903005068151659

高純度水素の製造方法

Inventor： 中村 博幸 ,  ディヴィッド エドランド ,  シュ ジジュン
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (6)： 杉村 興作 ,  徳永 博 ,  岩佐 義幸 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  冨田 和幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005287602
Publication number (International publication number)：2007099528
Application date： Sep. 30, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】エネルギー効率が高く、長時間にわたり高い水素回収率で高純度の水素を得ることが可能な高純度水素の新規製造方法を提供する。【解決手段】脱水素反応器2中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行い、該脱水素反応により生成したガスをPd-Cuを主成分とする水素分離膜5を用いて精製する高純度水素の製造方法において、前記水素分離膜5を150°C以上350°C未満の第一の温度で運転し、(I)前記水素分離膜5の運転停止に際して、水素分離膜5を300°C以上であって且つ前記第一の温度より高い第二の温度に加温処理した後に該水素分離膜5の運転を停止するか、(II)前記水素分離膜5における水素回収率が低下した際に水素分離膜5の温度を300°C以上であって且つ前記第一の温度より高い第二の温度に昇温し、その後、該水素分離膜5の温度を150°C以上350°C未満の第一の温度に降温して運転を継続する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行い、該脱水素反応により生成したガスをPd-Cuを主成分とする水素分離膜を用いて精製する高純度水素の製造方法において、 前記水素分離膜を150°C以上350°C未満の第一の温度で運転し、 前記水素分離膜の運転停止に際して、前記水素分離膜を300°C以上であって且つ前記第一の温度より高い第二の温度に加温処理した後に前記水素分離膜の運転を停止することを特徴とする高純度水素の製造方法。

IPC (1)：

C01B 3/56

FI (1)：

C01B3/56 Z

F-Term (4)：

4G140FA02 ,  4G140FB05 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 高圧水素の供給システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-369936   Applicant：千代田化工建設株式会社
• 分散型発電システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-192678   Applicant：積水化学工業株式会社
• 水素ガスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-216188   Applicant：関西電力株式会社