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J-GLOBAL ID：200903005077264830

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
熊田 恵志郎

About 熊田 恵志郎


Applicant, Patent owner：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

About 富士電機デバイステクノロジー株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003206092
Publication number (International publication number)：2005056915
Application date： Aug. 05, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：
【課題】同一半導体基板に低耐圧MOS、高耐圧MOS、バイポーラトランジスタが形成された半導体装置において、リーク電流が小さい、リーク電流の変動がない高信頼性のnpnトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】npnトランジスタのpベース領域6の表面層に反転防止領域Bを形成することで、LOCOS酸化膜9上の電荷の影響や、LOCOS酸化膜9上の配線に印加される電圧の影響を受けない、リーク電流の少なく、変動がない高い信頼性のnpnトランジスタを形成することができる。また、この反転防止領域Aを形成するイオン注入をp+ フィールドイオン注入で行うことで低コスト化することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
横型バイポーラトランジスタのベース領域の表面層に選択的に形成されたLOCOS酸化膜と、該LOCOS酸化膜をマスクとして、前記ベース領域の表面層にそれぞれ形成されたベースコンタクト領域およびエミッタ領域と、前記LOCOS酸化膜下の前記ベース領域の表面層に形成された該ベース領域と同一導電形の反転防止領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L29/732
FI (5)：
H01L29/72 P ,  H01L27/06 101U ,  H01L27/06 321B ,  H01L21/76 M ,  H01L21/76 S
F-Term (58)：
5F003BA93 ,  5F003BA97 ,  5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BC08 ,  5F003BF03 ,  5F003BF90 ,  5F003BJ15 ,  5F003BN01 ,  5F003BP21 ,  5F032AA13 ,  5F032AB01 ,  5F032AC01 ,  5F032BB06 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032CA25 ,  5F032DA43 ,  5F032DA80 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AA10 ,  5F048AC05 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC02 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048BG12 ,  5F048BH05 ,  5F048BH07 ,  5F048CA01 ,  5F048CA05 ,  5F048CA12 ,  5F048DA07 ,  5F048DA08 ,  5F048DA10 ,  5F048DA13 ,  5F082BA04 ,  5F082BA07 ,  5F082BA26 ,  5F082BA36 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082EA09 ,  5F082EA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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