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J-GLOBAL ID：200903005098635006

末端に非共有電子対を有する官能基を導入した高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したポジ型レジスト材料

Inventor： 加藤 政雄 ,  長崎 幸夫
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 田中 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997186872
Publication number (International publication number)：1999029612
Application date： Jul. 11, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ビニルモノマーをイオン重合した後、ポリマー主鎖の末端4級炭素に炭素原子1つを介して非共有電子対を有する官能基を導入した新規な高分子化合物、その製造方法及び該化合物を用いたポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】下記の構造式(A)で表されるポリマー主鎖の末端4級炭素に炭素原子1つを介して非共有電子対を有する官能基を導入した末端官能基を有する高分子化合物【化1】[式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、は水素または有機シリル基、有機シロキシ基、R2、R3及びR4は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。XはO、N、Sのような非共有電子対をを有する置換基を示す。nは5〜10、000の整数を表す。]

Claim (excerpt)：

下記の構造式(A)で表されるポリマー主鎖の末端4級炭素に炭素原子1つを介して非共有電子対を有する官能基を導入した末端官能基を有する高分子化合物。【化1】[式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、は水素または有機シリル基、有機シロキシ基、R2、R3及びR4は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。XはO、N、Sのような非共有電子対をを有する置換基を示す。nは5〜10000の整数を表す。]

IPC (3)：

C08F 8/00 ,  C08F112/04 ,  G03F 7/039

FI (3)：

C08F 8/00 ,  C08F112/04 ,  G03F 7/039

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭37-017495
  
• 末端に定量的にビニリデン基を有する高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したレジスト材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228039   Applicant：新技術事業団