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J-GLOBAL ID：200903005115211053

ダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法

Inventor： 蒲生 秀典 ,  安藤 寿浩
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003198089
Publication number (International publication number)：2005005659
Application date： Jun. 13, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】特に素子分離を要する各種電極ならびにセンサへの応用、あるいは半導体およびその部材に適した、すなわち絶縁性の下地に高品質かつ導電性ダイヤモンド層を具備するダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板11上に、絶縁性ダイヤモンド層12、導電性ダイヤモンド層13が、順次積層されてなるダイヤモンド積層基板を用いる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも表面に単結晶シリコン層を有する基板上に、絶縁性ダイヤモンド層、導電性ダイヤモンド層が、順次積層されてなることを特徴とするダイヤモンド積層基板。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  C30B29/04

FI (2)：

H01L21/205 ,  C30B29/04 E

F-Term (18)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB07 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-312982
  
• ダイヤモンドヘテロ接合整流素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315611   Applicant：株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
• 被検化合物の検出方法、およびそれに用いるダイヤモンド電極および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-315660   Applicant：藤嶋昭
• 特開平4-312982