CVD方法及びCVD装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004333885
Publication number (International publication number)：2006147736
Application date： Nov. 18, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】活性化手段から印加されたエネルギーによる基板表面の損傷を抑制でき且つ速い速度で薄膜を形成することのできるCVD方法及び装置を提供する。【解決手段】薄膜の形成対象とする基板Kを反応室2内の基板保持手段6に保持する基板保持ステップと、反応室を真空圧力まで減圧する減圧ステップと、目的とする薄膜の構成原子を含む原料ガスを反応室に導入するガス導入ステップと、活性化手段により原料ガスにエネルギーを印加して基板Kに薄膜を形成する膜形成ステップとを備えるCVD方法において、膜形成ステップは、活性化手段から基板に印加されるエネルギーが基板の表面に損傷を与えない第1エネルギーとなるようにして第1層目の薄膜を形成する第1膜形成ステップと、活性化手段から基板に印加されるエネルギーが第1エネルギーよりも強い第2エネルギーとなるようにして第2層目の薄膜を形成する第2膜形成ステップとを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

薄膜の形成対象とする基板を反応室内の基板保持手段に保持する基板保持ステップと、前記反応室を真空圧力まで減圧する減圧ステップと、目的とする薄膜の構成原子を含む原料ガスを前記反応室に導入するガス導入ステップと、活性化手段により前記原料ガスにエネルギーを印加して前記基板に薄膜を形成する膜形成ステップとを備えるCVD方法において、前記膜形成ステップは、活性化手段から前記基板に印加されるエネルギーが前記基板の表面に損傷を与えない第1エネルギーとなるようにして第1層目の薄膜を形成する第1膜形成ステップと、活性化手段から前記基板に印加されるエネルギーが前記第1エネルギーよりも強い第2エネルギーとなるようにして第2層目の薄膜を形成する第2膜形成ステップとを備えることを特徴とするCVD方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 , C23C 16/34 , C23C 16/452

FI (3)：

H01L21/31 B , C23C16/34 , C23C16/452

F-Term (20)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA24 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030HA11 , 4K030JA16 , 4K030JA17 , 4K030LA12 , 4K030LA18 , 5F045AA04 , 5F045AB33 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045BB16 , 5F045DP03 , 5F045EH19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許第2692326号公報

Cited by examiner (2)

成膜装置、プラズマCVD装置、成膜方法及びスパッタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-081907 Applicant：三洋電機株式会社
誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-104327 Applicant：ソニー株式会社

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