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J-GLOBAL ID：200903005127692170

プラズマCVMにおける残留不純物の低減法

Inventor： 森 勇藏 ,  市丸 広志 ,  中川 伸介
Applicant, Patent owner： 森 勇藏 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994123675
Publication number (International publication number)：1995331449
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVMにおける加工面において、残留不純物を低減する方法を提供する。【構成】ハロゲン化物(SF6 、CF4 、NF3 、CCl4 )を1種または2種以上を含む加工ガスに酸化剤(O2 、O3 、N2 O)を1種または2種以上添加する。

Claim (excerpt)：

プラズマCVMにおける加工面において、ハロゲン化物を1種または2種以上を含む加工ガス中の元素を主成分とする残留不純物を低減するため、酸化剤を添加することを特徴とする残留不純物の低減法。

IPC (2)：

C23C 16/50 ,  B01J 19/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭56-127768
  
• SOI基板におけるSOI膜厚均一化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138845   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平1-125829