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J-GLOBAL ID：200903005147519661

気相処理装置、気相処理方法および基板

Inventor： 上田 登志雄 ,  上野 昌紀 ,  倉本 敏行
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008025391
Publication number (International publication number)：2009188112
Application date： Feb. 05, 2008
Publication date： Aug. 20, 2009
Summary：

【課題】処理の制御性を向上させることが可能な気相処理装置、気相処理方法および基板を提供する。【解決手段】気相処理装置1は、図1に示すように、処理室4と、反応ガス供給部(反応ガス供給部材9)と、ガス導入部(導入部2)と、温度制御部3とを備える。反応ガス供給部材9は、温度制御された配管5を介して処理室4に反応ガスを供給する。導入部2は、処理室4に接続され、配管5からの反応ガスを受入れる。温度制御部3は、導入部2の温度を制御する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

処理室と、 温度制御された配管を介して前記処理室に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、 前記処理室に接続され、前記配管からの反応ガスを受入れるガス導入部と、 前記ガス導入部の温度を制御する温度制御部とを備える、気相処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/448

FI (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/448

F-Term (25)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-169559   Applicant：日本スピンドル製造株式会社, 有限会社マイクロシステム

Cited by examiner (3)

• 特開平4-021780
  
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-340822   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平4-021780