半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003169559
Publication number (International publication number)：2005005594
Application date： Jun. 13, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】基板面内の成膜速度および組成の均一性を保ち、コンタミネーションの発生を抑制するとともに、大口径の基板の処理または多数枚の基板の同時処理が可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置20は、チャンバー1内に、原料ガスを供給する原料ガス導入ノズル2a、2bと、基板10の上面に対して斜めに整流ガスを吹出す複数の整流ガス供給ノズル3bとを有している。複数の整流ガス供給ノズル3bは、原料ガスの上流側から下流側へ向って配列されている。複数の整流ガス供給ノズル3bの各々と基板10の上面との間隔は、原料ガスの上流側から下流側へ向かうほど大きくなっている。チャンバー1内の上面は整流ガス供給ノズル3bからの整流ガスの吹出し方向に沿うように傾斜している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を内部に保持可能なチャンバーと、前記基板の上面に沿って原料ガスを流すように前記チャンバーの一側に配置された原料ガス吹出し部と、前記基板の上面に対向して前記チャンバー内に配置され、かつ前記基板の上面に対して斜めに整流ガスを吹出すように構成された複数の整流ガス吹出し部とを備え、前記一側から前記チャンバーの他側方へ向って配列された複数の前記整流ガス吹出し部の各々と前記基板の上面との間隔は前記一側から前記他側方へ向かうほど大きくなっており、かつ前記チャンバー内面は前記整流ガス吹出し部からの整流ガスの吹出し方向に沿うように傾斜している、半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/455

FI (3)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/455

F-Term (23)：

4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030EA08 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045DP14 , 5F045EC01 , 5F045EC05 , 5F045EC07 , 5F045EE13 , 5F045EE20 , 5F045EF13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

気相成長装置及び気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-182854 Applicant：日本パイオニクス株式会社, 徳島酸素工業株式会社
気相エピタキシャル成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-001193 Applicant：富士通株式会社
窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法及び発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-071298 Applicant：ソニー株式会社

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