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J-GLOBAL ID：200903005168616772
3族窒化物半導体平面発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994338503
Publication number (International publication number)：1996139362
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】青、緑、赤の3原色発光の平面発光素子を得ること【構成】n+ 層4の上に、膜厚約0.5 μm、Ga0.94In0.06N から成る発光層5、膜厚約0.5 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープのAl0.1Ga0.9N から成るp層61、膜厚約0.5 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープのGaN から成るコンタクト層62が形成。イオン打ち込みによりドットaはシリコン濃度 1×1019/cm3、亜鉛濃度 1×1019/cm3、ドットbはシリコン濃度 5×1020/cm3、亜鉛濃度5×1020/cm3、ドットcは亜鉛濃度 5×1020/cm3とした。コンタクト層62に接続するNiで形成された電極7a,7b,7cとn+ 層4に接続するNiで形成された電極8が形成。各電極7a,7b,7cは溝9によりマトリックス状に電気的に絶縁分離。各電極7a,7b,7cは3原色のドットを形成し、3ドットを1組みとして画素Aが形成。
Claim (excerpt)：
基板上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を多層形成した平面発光素子において、発光層は3原色発光する隣接した3ドットを1組として構成される画素が2次元配列されたものであり、その各ドットは、前記発光層におけるアクセプタ不純物、ドナー不純物の濃度が3種に異なるようにイオン打ち込みにより形成されていることを特徴とする平面発光素子。
Patent cited by the Patent：
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