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J-GLOBAL ID：200903005180286427

ナノ構造体の製造方法

Inventor：
安居 伸浩

About 安居 伸浩

, 
田 透

About 田 透


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001140182
Publication number (International publication number)：2002332578
Application date： May. 10, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ナノホール底部が下地の導電性金属層からなる下地電極まで貫通した、直線性と径の一様性に優れたナノホールを有する陽極酸化アルミナナノホールを均一、且つ安定に形成するナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 Wを主成分とする下地電極上に陽極酸化アルミナナノホールが形成され、且つ該アルミナナノホールが該下地電極表面に貫通しているナノ構造体の製造方法において、陽極酸化により陽極酸化アルミナナノホールを有するポーラス皮膜を形成する工程、次いで化学エッチングを行いアルミナナノホールを下地電極表面に貫通させる工程を有するナノ構造体の製造方法。
Claim (excerpt)：
少なくともWを成分とする下地電極上に陽極酸化アルミナナノホールが形成され、且つ該アルミナナノホールが該下地電極表面に貫通しているナノ構造体の製造方法において、陽極酸化により陽極酸化アルミナナノホールを有するポーラス皮膜を形成する工程、次いで化学エッチングを行いアルミナナノホールを下地電極表面に貫通させる工程を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (14)：
C23C 26/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 101 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/06 ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  C25F 3/02 ,  C25F 3/08 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/84 ,  H01L 29/06 601
FI (14)：
C23C 26/00 Z ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 101 A ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/06 C ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 A ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  C25F 3/02 B ,  C25F 3/08 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/84 Z ,  H01L 29/06 601 N
F-Term (20)：
4K044AA11 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BB03 ,  4K044BB13 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA16 ,  4K044CA17 ,  4K044CA18 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006DA08 ,  5D112AA02 ,  5D112BA02 ,  5D112BA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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