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J-GLOBAL ID：200903010621553470

ナノ構造体及びその製造方法

Inventor：
岩崎 達哉

About 岩崎 達哉

, 
田 透

About 田 透


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276427
Publication number (International publication number)：1999200090
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 陽極酸化膜の微細孔の状態が極めて均一であり、より一層の高機能性デバイスに応用可能なナノ構造体を提供する。【解決手段】 導電性表面を備えた基体の該導電性表面に、細孔を有する陽極酸化膜を具備し、該細孔の底部と該導電性表面との間に酸化物層を有し、該酸化物層は該細孔の底部と該導電性表面とを繋ぎ、該導電性表面に含まれる材料を含む経路を有しているナノ構造体。
Claim (excerpt)：
導電性表面を備えた基体の該導電性表面に、細孔を有する陽極酸化膜を具備し、該細孔の底部と該導電性表面との間に酸化物層を有し、該酸化物層に該細孔の底部と該導電性表面とを繋ぎ、該導電性表面に含まれる材料を含む経路を有しているナノ構造体の製造方法であって、1)Ti、Zr、Nb、Ta及びMoから選ばれる少なくとも1つの元素を含む導電性表面を備えた基体の該導電性表面にアルミニウムを含有する膜を形成する工程、及び2)該アルミニウムを含む膜と対向電極の間に電圧を印加して該アルミニウムを含む膜を陽極酸化し、細孔を有する陽極酸化膜を形成する工程を有し、上記工程2)が、陽極酸化電流を検知しつつ陽極酸化を行ない、該陽極酸化が該導電性表面に到達したことを示す該陽極酸化電流の変化を検出した後に陽極酸化を停止する工程を含むことを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (3)：
C25D 11/04 305 ,  C25D 11/16 302 ,  H01L 21/316
FI (3)：
C25D 11/04 305 ,  C25D 11/16 302 ,  H01L 21/316 T
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
  • 特開平2-057690
  • 特開昭62-137724
  • 特開昭55-085694
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Cited by examiner (20)
  • 特開平2-057690
  • 特開平2-057690
  • 特開昭62-137724
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