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J-GLOBAL ID：200903005202307873

光波長変換素子の製造方法および光波長変換素子

Inventor： 田中 章治 ,  高木 進 ,  中野 太郎
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007154782
Publication number (International publication number)：2008309828
Application date： Jun. 12, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：

【課題】大面積の強誘電体基板にデューティ比の面内均一性が高い分極反転部を形成できる光波長変換素子の製造方法と光波長変換素子とを提供することを目的とする。【解決手段】強誘電体から成る基板の一方の表面を所定の粗さに加工した後その加工表面に第1の金属電極を形成する第1の金属電極形成工程と、前記基板の前記第1の金属電極が形成された面と反対の面の全体表面を覆うように第2の金属電極を形成する第2の金属電極形成工程と、前記第1の金属電極と前記第2の電極との間に電界を印加して前記基板に分極反転部を形成する分極反転形成工程とからなる光波長変換素子の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

強誘電体から成る基板の一方の表面を所定の粗さに加工した後その加工表面に第1の金属電極を形成する第1の金属電極形成工程と、 前記基板の前記第1の金属電極が形成された面と反対の面の全体表面を覆うように第2の金属電極を形成する第2の金属電極形成工程と、 前記第1の金属電極と前記第2の電極との間に電界を印加して前記基板に分極反転部を形成する分極反転形成工程とからなる光波長変換素子の製造方法。

IPC (1)：

G02F 1/37

FI (1)：

G02F1/37

F-Term (7)：

2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA01 ,  2K002EB07 ,  2K002FA27 ,  2K002HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-187735号公報
  
• 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-345496   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-187643   Applicant：富士写真フイルム株式会社