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J-GLOBAL ID:200903005215152160

スパッター膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999108838
Publication number (International publication number):2000303172
Application date: Apr. 16, 1999
Publication date: Oct. 31, 2000
Summary:
【要約】【解決手段】 スパッター室内において基板を所定速度で移動させると共に、上記スパッター室内に配設されたターゲットからのスパッター粒子によるスパッター膜を上記基板表面に形成する、基板に対するスパッター膜の形成方法において、上記基板の移動方向に対して直角方向に沿って左右に一対のターゲットを配設すると共に、これら一対のターゲットを互いに基板側の面が向き合う状態でそれぞれ基板面に対して傾斜して配置させて、スパッター成膜を行うことを特徴とする基板に対するスパッター膜の形成方法。【効果】 本発明によれば、基板の面内膜厚分布が改良され、スパッター膜の優れた膜厚均一性を達成し得る。
Claim (excerpt):
スパッター室内において基板を所定速度で移動させると共に、上記スパッター室内に配設されたターゲットからのスパッター粒子によるスパッター膜を上記基板表面に形成する、基板に対するスパッター膜の形成方法において、上記基板の移動方向に対して直角方向に沿って左右に一対のターゲットを配設すると共に、これら一対のターゲットを互いに基板側の面が向き合う状態でそれぞれ基板面に対して傾斜して配置させて、スパッター成膜を行うことを特徴とする基板に対するスパッター膜の形成方法。
IPC (2):
C23C 14/34 ,  G03F 1/08
FI (2):
C23C 14/34 C ,  G03F 1/08 L
F-Term (7):
2H095BB25 ,  2H095BB31 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DC16 ,  4K029JA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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