フォトマスクの白欠陥修正方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂上正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001388869
Publication number (International publication number)：2003186178
Application date： Dec. 21, 2001
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。【解決手段】白欠陥と認識された領域3に、拡散障壁層原料用ガス銃4から拡散障壁層の原料となるガスを流しながら、電子ビーム5で次のFIB-CVDで形成する遮蔽膜の界面となるガラス基板2と正常パターン1領域にGaイオンの拡散障壁層となる薄い膜6を形成し、形成された拡散障壁層6の上に遮蔽膜原料用ガス銃7から遮蔽膜原料ガスを流しながら、イオンビーム9の選択走査により遮蔽膜8を形成して白欠陥を修正する。

Claim (excerpt)：

イオンビーム装置を用いたフォトマスク欠陥修正において、拡散障壁層原料ガスを流しながら電子ビームでパターンとガラス基板にGaイオンの拡散を防止する拡散障壁層を形成し、上記バリア膜の上に遮蔽膜原料ガスを流しながらさらにイオンビームの選択的走査により遮蔽膜を形成することを特徴とするフォトマスクの白欠陥修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 W , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 541 Z

F-Term (3)：

2H095BD33 , 2H095BD35 , 5F056DA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

EUVリソグラフィ用マスクの白欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-326563 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
レチクルパターン欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-226738 Applicant：株式会社ニコン
特開平3-181945

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