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J-GLOBAL ID:200903005217790325

光増幅素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 哲也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004256969
Publication number (International publication number):2006073870
Application date: Sep. 03, 2004
Publication date: Mar. 16, 2006
Summary:
【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることが可能な光増幅素子を提供する。【解決手段】 入力導波路402、入力信号光411、多モード導波路403および出力導波路404をn-InP基板401上に形成し、入力導波路402および出力導波路404は、InGaAsPをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成するとともに、多モード導波路403は、InGaAsPをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成し、多モード導波路403の両脇に高反射膜409、410を対向配置し、入力信号光411の導波方向と直交する方向に多モード導波路403内でレーザ発振を起こさせながら、入力信号光411を多モード導波路403内に伝搬させることにより、入力信号光411を増幅する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
単一モードの光を導波させる入力導波路と、 前記入力導波路に光学的に結合され、複数モードの光を導波させるとともに、少なくとも一部に利得媒質を含むように構成された多モード導波路と、 前記多モード導波路に光学的に結合され、単一モードの光を導波させる出力導波路と、 前記利得媒質から放射される自然放出光を反射させることにより、前記入力導波路を介して前記多モード導波路に入射された光の伝搬方向と交差する方向に発振を起こさせる反射領域とを備えることを特徴とする光増幅素子。
IPC (1):
H01S 5/50
FI (1):
H01S5/50 610
F-Term (3):
5F173AH14 ,  5F173AR13 ,  5F173AS01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)
  • 半導体光アンプ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-221420   Applicant:日本電気株式会社

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