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J-GLOBAL ID：200903005218657050

弾性表面波装置の製造方法

Inventor： 中川 賢俊 ,  戸瀬 誠人 ,  越戸 義弘 ,  藤本 耕治 ,  中尾 武志
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000204270
Publication number (International publication number)：2002026676
Application date： Jul. 05, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 弾性表面波装置において、タンタルを主成分とする電極膜に吸蔵されていた水素を除去することによって電極膜の比抵抗を小さくする。また、デバイスの特性を安定化させる。【解決手段】 圧電性基板1の上にタンタルを主成分とする電極膜2を形成した後、この電極膜2を真空中において200°C〜700°Cの温度で数時間熱処理する。ついで、電極膜2をパターニングしてインターデジタル電極を得る。

Claim (excerpt)：

真空中で圧電性基板にタンタルを主成分とする電極膜を作製する工程と、前記電極膜を所望の形状に加工する工程と、前記電極膜を200°C以上700°C以下の温度で熱処理する工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法。

IPC (2)：

H03H 3/08 ,  H03H 9/145

FI (2)：

H03H 3/08 ,  H03H 9/145 C

F-Term (5)：

5J097AA01 ,  5J097AA24 ,  5J097FF03 ,  5J097HA02 ,  5J097KK09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭62-297892
  
• ラブ波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253809   Applicant：株式会社村田製作所
• 薄膜半導体装置及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-013342   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特公平8-019516
  
• 特開昭63-185052
  

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-297892
  
• ラブ波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253809   Applicant：株式会社村田製作所
• 薄膜半導体装置及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-013342   Applicant：セイコーエプソン株式会社