化合物半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998342562
Publication number (International publication number)：2000174261
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体装置に関し、化合物半導体におけるピンニング効果の解除、界面準位密度の低減、及び、オーミック抵抗の低減を簡単な製造装置構成によって行う。【解決手段】化合物半導体層2の表面を、2原子層以上の厚さの少なくともGaSを含む層3で覆うとともに、少なくともGaSを含む層3の少なくも一部をGaN層4で覆う。

Claim (excerpt)：

化合物半導体層の表面を、2原子層以上の厚さの少なくともGaSを含む層で覆うと共に、前記少なくともGaSを含む層の少なくとも一部をGaN層で覆ったことを特徴とする化合物半導体層。

IPC (6)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/80 H , H01L 29/72 , H01L 29/78 301 B

F-Term (29)：

5F003BA92 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BP32 , 5F040DA19 , 5F040DC03 , 5F040EC02 , 5F040EC04 , 5F040ED01 , 5F040ED02 , 5F040ED03 , 5F040FC05 , 5F040FC25 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GM04 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-248170 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-050167 Applicant：富士通株式会社
特開平4-127542

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Cited by examiner (9)

MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-248170 Applicant：富士通株式会社
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特開平4-127542

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