半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997050167
Publication number (International publication number)：1998247636
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体層上にGaS膜を有する半導体装置の製造技術に関し、特に、GaS膜上に形成された絶縁膜を、GaS膜に対して選択性よくエッチングする半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体層上にGaS膜よりなるゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、弗酸と弗化アンモニウムとを含むエッチング液により層間絶縁膜をゲート絶縁膜に対して選択的にエッチングし、ゲート絶縁膜の所定の領域を露出する工程と、露出したゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とにより半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

GaS膜上に形成されたSiO2膜、SiON膜又はSiN膜を、弗酸と弗化アンモニウムとを含むエッチング液により、前記GaS膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平1-098231
特開平1-098231
薄膜のパターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052479 Applicant：セイコー電子工業株式会社

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