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J-GLOBAL ID：200903005251880082

化合物半導体エピタキシャルウエーハ

Inventor： 渡辺 政孝 ,  皆瀬 恒幸 ,  篠原 政幸 ,  遠藤 正久 ,  高橋 徹
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022029
Publication number (International publication number)：1997199757
Application date： Jan. 12, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 格子不整合による応力の効果的な除去が為されて、薄層化が可能なので生産性に優れ、かつ反射層の導入による高輝度の化合物半導体用エピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaP層3と、その上に成長させる所定混晶率aの燐化砒化ガリウムGaAsa P1-a の組成一定層5との間に、層厚dの増大に伴い所定混晶率aを超えない範囲で変化する砒素混晶率xを有する燐化砒化ガリウムGaAsxP1-x の混晶率変化層4を形成させる際に、混晶率xを、エピタキシャル層の厚さdの増大に伴いC11〜C13のように急増させた後に、この増加分を相殺しない範囲内の減少分だけS11〜S13のように減少させ、このように増加と減少の組み合わせを、混晶率変化層4内に1回以上反復して分布形成させた後に、混晶率xを所定混晶率aまで増加させる。

Claim (excerpt)：

燐化ガリウムGaPあるいは砒化ガリウムGaAsからなる化合物半導体単結晶の基板上に、基板を構成しない第V族元素の混晶率xあるいはyが層厚の増大に伴って0乃至1の範囲内で変化する、燐化砒化ガリウムGaAs<SB>x </SB>P<SB>1-x </SB>あるいはGaAs<SB>1-y </SB>P<SB>y </SB>からなる混晶率変化層が形成され、さらに該混晶率変化層の上層に基板を構成しない第V族元素の所定混晶率がaあるいはb(但し0<a≦1、0<b≦1)である燐化砒化ガリウムGaAs<SB>a </SB>P<SB>1-a</SB>あるいはGaAs<SB>1-b </SB>P<SB>b </SB>からなる組成一定層が形成されてなる化合物半導体エピタキシャルウエーハにおいて、前記混晶率変化層内には、該混晶率変化層厚さの増大に伴い混晶率xあるいはyを増加させる組成増加部と、該組成増加部に続き混晶率xあるいはyを減少させる結晶質安定化部とから成る組合わせが少なくとも1組層厚方向に分布して形成され、前記組成増加部における混晶率xあるいはyの増加率は、成長層1μmの増大に対し0.1乃至20であり、かつ前記結晶質安定化部における混晶率xあるいはyの減少率が、成長層1μmの増大に対し0.005乃至0.05であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエーハ。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205