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J-GLOBAL ID：200903005377952666

光電変換装置

Inventor：
小川 勝久

About 小川 勝久


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997235886
Publication number (International publication number)：1999075114
Application date： Sep. 01, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 光電変換装置において、光電変換された画像情報をゲート・ソース間に電位差のないソースフォロアを用いて読み出す事で、低電圧動作でもダイナミックレンジが広く、線形性のよい高画質センサを実現する。【解決手段】 光電変換部で発生した光電荷をソースフォロア用デプレッションMOSトランジスタを介して読み出す構成の画素セルにおいて、前記ソースフォロア用デプレッションMOSトランジスタのゲートがリセット状態の時、そのVgsが0Vとなる様な定電流値で前記ソースフォロア用デプレッションMOSトランジスタの動作点を設定する事を特徴とする。また、定電流源手段の一例として、Vgs=0VにバイアスされたデプレッションMOSトランジスタのW/L比を、前記ソースフォロア用デプレッションMOSトランジスタのW/L比に対して基板バイアス効果を考慮して適当な値に設定する事で実現できる。
Claim (excerpt)：
光電変素子で発生した光電荷を第一のデプレッション型MOSトランジスタのゲートを介してソースから信号電位の変化として取り出す光電変換装置において、該第一のデプレッション型MOSトランジスタが選択手段によって選択された時に、該第一のデプレッション型MOSトランジスタのバイアス電流を吸収する第二のデプレッション型MOSトランジスタのW/L(Wはゲート幅、Lはチャネル長)の比(チャネル比)が該第一のデプレッション型MOSトランジスタのW/Lの比よりも小さいことを特徴とした光電変換装置。
IPC (3)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/00
FI (3)：
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-242503
  • CCD出力回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-131244   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 増幅回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-213995   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
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