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J-GLOBAL ID：200903005381088984

MOS型固体撮像装置

Inventor： 井上 郁子 ,  野崎 秀俊 ,  山下 浩史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001342290
Publication number (International publication number)：2003142674
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】トレンチ分離を用いたCMOSイメージセンサにおいて、画素間分離を容易にし、混色を低減し、暗時ノイズや白傷を低減し、画像特性を向上する。【解決手段】CMOSイメージセンサにおいて、P型シリコン基板51上に配置された光電変換部52と信号走査回路部を含む複数の単位セルと、光電変換部と信号走査回路部とを分離するトレンチ分離領域56と、トレンチ分離領域の底面下部で光電変換部を形成するフォトダイオード拡散層58より深い位置まで形成されたP型の素子分離拡散層57とを具備する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に配置され、前記第1導電型とは逆の第2導電型の拡散層を有するフォトダイオードからなる光電変換部および信号走査回路部を含む複数の単位セルと、前記半導体基板に形成され、前記光電変換部と信号走査回路部とを分離するトレンチ分離領域と、前記トレンチ分離領域の底面下部で前記フォトダイオードの拡散層より深い位置まで形成された第1導電型の第1の素子分離拡散層とを具備することを特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H04N 1/028 Z ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 G ,  H01L 27/14 A

F-Term (23)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD09 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118GB04 ,  4M118GB11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31 ,  5C024GY35 ,  5C051AA01 ,  5C051BA03 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DC07 ,  5C051EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-317833   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭61-137341