トレンチベースのソースおよびゲート電極を有するパワーデバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005248465
Publication number (International publication number)：2006066922
Application date： Aug. 29, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】トレンチ型パワー半導体デバイスのオン抵抗および破壊電圧を、他のデバイス特性の中でもさらに改善すること。【解決手段】パワー半導体デバイスは半導体ボディー内に形成された複数のトレンチを含み、各トレンチは内部に形成された1つまたは複数の電極を含む。特に、本発明の実施形態によれば、半導体デバイスの複数のトレンチは1つもしくは複数のゲート電極を含むことができ、1つもしくは複数のゲート電極または1つもしくは複数のソース電極を含むことができ、或いは、内部に形成されたゲート電極およびソース電極の双方の組み合わせを含むことができる。トレンチおよび電極は半導体ボディー内で様々な深さを有することができる。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体ボディーと、前記半導体ボディー内で第1の深さに延長している複数のゲートトレンチと、前記半導体ボディー内で第2の深さに延長している複数のソーストレンチであって、前記第2の深さは前記第1の深さより大きいソーストレンチと、前記複数のゲートトレンチの各々内の絶縁されたゲート電極と、前記複数のソーストレンチの各々内の絶縁されたソース電極と、前記半導体ボディー内の、かつ、前記複数のソーストレンチの各々に隣接したエッチングされた表面を有する第2の導電型のチャンネル領域と、前記ソース電極に接触し、かつ、前記エッチングされた表面に沿った前記チャンネル領域に接触しているソースコンタクトと、を含み、前記複数のゲートトレンチおよび前記複数のソーストレンチはセル状の設計に配列されているパワー半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (7)：

H01L29/78 652B , H01L29/78 652F , H01L29/78 652H , H01L29/78 653A , H01L29/78 657A , H01L27/06 102A , H01L27/08 102E

F-Term (17)：

5F048AA05 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB19 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BH02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

米国特許第6649975号明細書
米国特許第6710403号明細書
米国特許第5673898号明細書

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Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-260709 Applicant：株式会社東芝
トレンチゲート付き半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-294986 Applicant：株式会社東芝
特許第6710403号

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