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J-GLOBAL ID：200903005433326722

高周波伝送線路およびその製造方法

Inventor：
都築 玄一

About 都築 玄一


Applicant, Patent owner：
株式会社移動体通信先端技術研究所

About 株式会社移動体通信先端技術研究所


Agent (1)： 伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995127930
Publication number (International publication number)：1996321705
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】 製造の手間を要さず、コンパクトかつ低損失の高周波伝送線路を提供する。【構成】 マイクロストリップ伝送線路を構成するストリップ導体層1を、絶縁膜11とこれを挟んで上下に位置する上側導電膜12および下側導電膜13とで構成する。下側導電膜13により、渦巻き状に成形されたスパイラルインダクタ素子14と、これの中心部に位置してインダクタ素子14の内周端141に接続された板状電極15を形成する。また、上側導電膜12により、絶縁膜11を介して板状電極15に対向しキャパシタ素子を構成する板状電極16を形成する。
Claim (excerpt)：
積層型平面伝送線路を構成する導体層を、絶縁膜とこれを挟んで上下に位置する上側導体膜および下側導体膜とで構成し、前記上側導体膜および下側導体膜の一方により、インダクタ素子とこれの一端に接続された一の板状電極とを形成するとともに、前記上側導体膜および下側導体膜の他方により、前記絶縁膜を介して前記一の板状電極に対向してキャパシタ素子を構成する他の板状電極を形成したことを特徴とする高周波伝送線路。
IPC (7)：
H01P 3/08 ,  H01F 27/00 ,  H01G 4/40 ,  H01P 1/00 ,  H01P 1/20 ,  H01P 11/00 ,  H03H 7/01
FI (7)：
H01P 3/08 ,  H01P 1/00 Z ,  H01P 1/20 Z ,  H01P 11/00 K ,  H03H 7/01 Z ,  H01F 15/00 D ,  H01G 4/40 321 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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