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J-GLOBAL ID：200903005450952980
荷電粒子線試験装置及び半導体集積回路試験装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993301618
Publication number (International publication number)：1995151836
Application date： Dec. 01, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 異常個所がわかり易いLSM像を得る。【構成】 各試験パターンの始めにトリガ信号を発生し、遅延手段23で設定遅延量だけ遅延され、その遅延出力で電子ビームパルスがIC15に照射され、その2次電子が検出器16で検出され、画像データとしてメモリ18,19の一方に取込まれる。各トリガごとに遅延量が一定量ずつ増加されることを1水平走査ごとに繰返し、1画面分のデータを取得すると、取得完了信号を信号発生器11へ送る。信号発生器11では取得完了信号を受信するごとに、電源電圧のような動作条件を交互に変更して同一の試験を行う。また条件信号を発生し、画像データの蓄積をメモリ18と19とに交互に切替える、メモリ18と19のデータの差を表示する。
Claim (excerpt)：
動作中の半導体集積回路に荷電粒子線をパルス的に照射し、その2次電子を検出して、上記半導体集積回路の電位分布の画像を得る荷電粒子線試験装置において、上記半導体集積回路へ動作試験信号を供給する試験信号発生器からトリガ信号を受信し、そのトリガ信号に対し、荷電粒子線による上記半導体集積回路に対する水平又は垂直走査位置と対応した遅延を与えて荷電粒子線パルスを発生させる遅延手段と、上記試験信号発生器から半導体集積回路の動作条件を変更したことを示す条件信号を受信するごとに、上記検出2次電子より得た画像データの蓄積領域を切り替える手段と、を具備することを特徴とする荷電粒子線試験装置。
IPC (3)：
G01R 31/302
, G01N 23/225
, H01L 21/66
