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J-GLOBAL ID:200903005520864439

酸化物超電導導体の製造方法及び酸化物超電導導体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996108304
Publication number (International publication number):1997295873
Application date: Apr. 26, 1996
Publication date: Nov. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 酸化物超電導体の結晶の連続成長を正常に行うことができ、しかも優れた結晶配向性を維持しながら酸化物超電導体の結晶を成長させることができる酸化物超電導導体の製造方法と、機械的強度が優れかつ磁場下での臨界電流密度が優れた酸化物超電導導体の提供。【解決手段】 酸化物超電導材料粉末を主成分とする原料粉末を成形後、焼結して原料焼結ロッド21を形成し、該ロッド21を溶融凝固法により溶融凝固して酸化物超電導導体を製造する方法において、前記原料粉末中に銀粉末3〜10重量%と白金粉末0.5〜1重量%をそれぞれ添加する工程を少なくとも備える酸化物超電導導体の製造方法と、酸化物超電導材料粉末を主成分とする原料粉末を成形、焼結してなるロッド21が溶融凝固されてなる酸化物超電導導体であって、前記酸化物超電導導体には銀3〜10重量%と白金0.5〜1重量%とがそれぞれ含有されている酸化物超電導導体。
Claim (excerpt):
酸化物超電導材料粉末を主成分とする原料粉末を成形後、焼結して原料焼結ロッドを形成し、該原料焼結ロッドを溶融凝固法により溶融凝固して酸化物超電導導体を製造する方法において、前記原料粉末中に銀粉末3〜10重量%と白金粉末0.5〜1重量%をそれぞれ添加する工程を少なくとも備えることを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
IPC (5):
C04B 35/653 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/04 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (5):
C04B 35/60 ZAA A ,  C01G 1/00 S ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/04 ZAA ,  H01B 13/00 565 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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