半導体素子用導電材料及びスパッタリングターゲット並びにその製造法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：片岡誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000144810
Publication number (International publication number)：2001329327
Application date： May. 17, 2000
Publication date： Nov. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】電気抵抗が低くかつ安定化され、液晶ディスプレイなどの表示機器の半導体素子における薄膜状の電極や配線用に好適な導電材料と、その導電材料からなるスパッタリングターゲット、および該スパッタリングターゲットの最適な製造法を提供する。【解決手段】アルミニウム95〜99.8原子%と、イリジウム、パラジウムおよび白金から選択される1種または2種以上の金属0.2〜5原子%からなり、かつ紫外光電子分光法により測定した仕事関数が5.0エレクトロンボルト以上の値を有する半導体素子用導電材料と、該導電材料からなるスパッタリングターゲット、および該スパッタリングターゲットの製造法。

Claim (excerpt)：

アルミニウム95〜99.8原子%と、イリジウム、パラジウムおよび白金から選択される1種または2種以上の金属0.2〜5原子%からなり、かつ紫外光電子分光法により測定した仕事関数が5.0エレクトロンボルト以上の値を有する半導体素子用導電材料。

IPC (6)：

C22C 21/00 , C23C 14/34 , H01B 1/02 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (6)：

C22C 21/00 N , C23C 14/34 A , H01B 1/02 B , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 L

F-Term (22)：

4K029BA23 , 4K029BD02 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC08 , 4M104BB02 , 4M104BB39 , 4M104DD40 , 4M104GG20 , 4M104HH16 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103LL20 , 5F103RR05 , 5G301AA03 , 5G301AA16 , 5G301AA17 , 5G301AB20 , 5G301AD10 , 5G301AE10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-184747 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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