半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金丸章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184747
Publication number (International publication number)：1995045555
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】ヒロックが生じ難く、且つ、比抵抗:20μΩcm以下であって、アクティブマトリックス型液晶ディスプレイ等の如く薄膜トランジスターが使用される機器での半導体用電極として好適に用い得る半導体用電極及びその製造方法並びに該半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【構成】合金成分としてFe, Co, Ni, Ru, Rh, Irの1種又は2種以上を0.1 〜10at% 、又は、希土類元素の1種又は2種以上を0.05〜15at% 含有するAl合金よりなる半導体用電極。上記元素を固溶させたAl合金薄膜の形成後、その固溶元素の一部又は全部を熱処理(温度:150〜600 °C)により金属間化合物として析出させ、電気抵抗値:20μΩcm以下のAl合金薄膜よりなる半導体用電極を得る半導体用電極の製造方法。上記元素を含有するAl合金よりなるターゲット。

Claim (excerpt)：

合金成分としてFe, Co, Ni, Ru, Rh, Irのうちの1種又は2種以上を合計で0.1 〜10at% 含有するAl合金よりなることを特徴とする半導体用電極。

IPC (2)：

H01L 21/285 , C23C 14/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平1-233737
特開平4-056136
特開平1-134426

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