半導体発光素子、およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236425
Publication number (International publication number)：1996102552
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体発光素子の積層部の最表面の部位から光を出射させる場合に、この光が電極によって遮られるなどして発光輝度が低下することを防止し、高い発光輝度が効率よく得られるようにする。【構成】基板2の表面上に、n型半導体層3、発光層4、およびp型半導体層5から構成される積層部6が形成され、上記発光層4から発せられる光が上記積層部6の最表面の部位から出射するように構成されている半導体発光素子において、上記n型半導体層3とp型半導体層5との各層に電圧印加を行うための一対の電極8a,8bが、上記積層部6の側面部に形成され、これら一対の電極8a,8bは、上記n型半導体層3およびp型半導体層5の端面部または端縁部に導通している。

Claim (excerpt)：

基板の表面上に、n型半導体層、発光層、およびp型半導体層から構成される積層部が形成され、上記発光層から発せられる光が上記積層部の最表面の部位から出射するように構成されている半導体発光素子において、上記n型半導体層とp型半導体層との各層に電圧印加を行うための一対の電極が、上記積層部の側面部に形成され、かつ、これら一対の電極は、上記n型半導体層およびp型半導体層の端面部または端縁部に導通していることを特徴とする、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭63-037678
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201305 Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (2)

特開昭63-037678
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201305 Applicant：豊田合成株式会社

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